内存颗粒其实是港台地区对内存芯片的一种称呼（仅对内存），其他的芯片，港台则称为“晶片”，两者的意思是一样的，至于大家怎么称呼，看个人习惯了。
具体含义解释：
例：samsungk4h280838b-tcb0
主要含义：
第1位——芯片功能k，代表是内存芯片。
第2位——芯片类型4，代表dram。
第3位——芯片的更进一步的类型说明，s代表sdram、h代表ddr、g代表sgram。
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6a代表64mbit的容量；28、27、2a代表128mbit的容量；56、55、57、5a代表256mbit的容量；51代表512mbit的容量。
第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。
第11位——连线“-”。
第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7b为7.5ns(cl=3)；7c为7.5ns(cl=2)；80为8ns；10为10ns(66mhz)。
认识内存的性能参数一般方法是读取SPD芯片中的信息，但由于SPD信息需要在开机状态下查看，而且有一些不法商家也会刷写SPD芯片中的信息来欺骗消费者。因此，认识内存更好的办法是识别内存颗粒的编号，当然不能是被打磨过的。通过查看颗粒编号的含义，可以更好地识别内存是否为正品。
下面我们以市面上最常见的HY内存颗粒为例简单介绍内存颗粒编号的含义。
color=#0000ff][b]·“HY”是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。
·“5D”是内存芯片类型为DDR，57则为SD类型。
·“U”代表处理工艺及电压为2.5V。(V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V)
·“56”代表芯片容量密度和刷新速度是256M 8K刷新。(64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新)
·“8”是内存条芯片结构，代表改内存由8颗芯片构成。(4=4颗芯片；8=8颗芯片；16=16颗芯片；32=32颗芯片)
·“2”指内存的bank(储蓄位)。(1=2 bank；2=4 bank；3=8 bank)
·“2”代表接口类型为SSTL_2。(1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18)
·“B”是内核代号为第3代。(空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代)
·能源消耗，空白代表普通；L代表低功耗型，该内存条的能源消耗代码为空，因此为普通型。
·封装类型用“T”表示，即TSOP封装。(T=TSOP；Q=LOFP；F=FBGA；FC=FBGA)
·封装堆栈，空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J=其它；M=MC
